到晚上十點半左右，陳舟把張一凡送出了房間。
張一凡得抓緊時間趕回學校了，據他所說，他們的宿管阿姨簡直不要太凶。
如果被鎖在門外，寫檢討都是輕的。
搞不好還要被通報批評呢。
見他說的這麼嚴重，陳舟自然也不敢耽誤他的時間。
只是他很奇怪，宿管阿姨不都是和藹可親的嗎？
要是晚歸，不都是趕緊讓你進來，生怕耽誤你休息的嗎？
幫張一凡喊了輛出租車，看著他上車，陳舟才再次回到房間。
一回去，就看到沈靖打了個哈欠。
陳舟不禁笑了笑，今天起得其實挺早的，而且在高鐵上並沒有補覺，這會這個點，確實有點犯困了。
「學長，先回去休息吧，明天四十三所的實驗也要正式開始了。」
「沒事，我再整理兩篇。」沈靖說完，又打了個哈欠。
他是真的有點困了，如果按照一天的活動時間來算的話，那他已經連續近16個小時沒有休息了。
「好啦，這事不急在一時，明天再弄。」陳舟說著過去幫沈靖關了電腦，督促他趕緊去睡覺。
沈靖看了陳舟一眼，把東西收拾好，朝自己房間走去。
臨出門時，他突然停下腳步，轉頭問陳舟︰「你該不會熬夜看文獻吧？」
陳舟輕聲笑道︰「不至于，我再看一會就睡了。」
沈靖將信將疑的離開了，但回到房間後他覺得不對，這小子的一會到底是個什麼概念呢？
想了一會，沈靖把電腦重新打開了。
工作，具有專注力的工作，將抵消那股疲憊的困意！
給自己打了個氣，沈靖便開始繼續了。
陳舟這邊，等沈靖離開後，便坐回桌子前，繼續看文獻。
還剩兩個，直流電弧等離子噴射CVD法和微波等離子體CVD法。
直流電弧等離子噴射CVD法，也叫DAPCVD法。
這是一種放電區內隱的直流電弧等離子體沉積法。
這種方法的優點就是，有極快的沉積速度。
是極快，不是一般的快！
在上世紀90年代的時候，就有實驗室利用陰陽極呈直角的反應器實現了930m/h的高速生長。
這可是930m/h，不是930μm/h！
而且，就算是930μm/h，那也是遠高于現在四十三所制備金剛石薄膜的40μm/h的。
更不要說930m/h了。
相比之下，一個的速度就是火箭，另一個則是自行車。
或許連自行車都算不上。
也是因為這種告訴生長的速率，這種方法一度成為熱點方法。
制備工藝的話，也並不復雜。
主要就是在桿狀陰極和環形陽極之間施加直流電壓，當氣體通過時引發電弧，加熱氣體，高溫膨脹的氣體從陽極嘴高速噴出，形成等離子體射流。
引弧的氣體通常是氬氣，等形成等離子體射流後，通入反應氣體甲烷和氫氣，甲烷和氫氣被離化，並達到水冷沉積台的襯底，在襯底上成核、生長金剛石薄膜。
而且這種方法制備金剛石薄膜，不禁速度快，而且質量高，還無電磁污染。
但是，由于噴射等離子體的速度場合溫度場不均勻，使其沉積範圍內膜厚不均，會呈梯形分布。
在沉積速度過快時，膜的表面不平整，就會大大降低膜的致密度。
看到這，陳舟古怪的笑了笑︰「看來，太快了也不好……」
但是整體來說，這種方法還是很有研究潛力的。
陳舟在草稿紙上做著記錄，並把自己的想法記在一旁。
把DAPCVD法的相關文獻看完後，陳舟右手滑動鼠標，點開了一個新的PDF文件。
最後一個制備方法。
微波等離子體CVD法，也就是MPCVD法。
是四十三所所采用的的方法。
也是陳舟查這麼文獻的目的。
和DAPCVD法被報道的時間，僅相隔一年。
這也是目前用于沉積金剛石薄膜最為廣泛的方法。
這種方法最先是通過一種軸向的天線耦合器，將2~5W的矩形微波進行導轉換，在大氣壓下形成等離子體。
而高壓等離子體就會由耦合器的「針孔」處噴射到水冷的樣品台上，繼而形成金剛石薄膜。
和DAPCVD法使用的氣源相同，主要是氬氣，反應氣體是甲烷和氫氣。
現如今，這種方法已經形成了多種形式。
不過不管是按真空室的形成來分的石英管式、石英鐘罩式和帶有微波窗的金屬腔體式，還是按微波與等離子體的耦合方式來分的表面波耦合式、直接耦合式和天線耦合式。
它們的沉積速率，都是和微波功率有關的。
舉個例子，用5kW微波功率的MPCVD法，可以以10μm/h的速率沉積工具級金剛石薄膜，以8μm/h的速率沉積熱沉級金剛石薄膜，以3μm/h 的速率沉積光學級金剛石薄膜。
而用10kW微波功率的時候，他的沉積速率可以達到25μm/h。
也就是說，通過增大微波功率，可以提高金剛石薄膜的沉積速率。
除此之外，金剛石薄膜的沉積速率還和氣體壓力有關。
在高微波功率，高的甲烷與氫氣體積流量比，160Torr氣體壓力下，可以制備出150μm/h的多晶金剛石薄膜。
如果在同等條件下，將壓力提高至310Torr下，可以制備出165μm/h的單晶金剛石薄膜。
「氣體壓力……」
「微博功率……」
陳舟在草稿紙上寫下這兩個詞匯。
拿筆點了兩下，隨手便劃了兩個圈。
這是重點。
放下筆，陳舟滑動鼠標，繼續看文獻的內容。
MPCVD法之所以會成為最廣泛的方法，是因為這種方法比DAPCVD法制備的金剛石薄膜質量更好。
很好的解決了膜的致密度不高的問題同時，還可以產生大體積的金剛石薄膜。
此外，這種方法還能在曲面或者復雜表面上進行金剛石薄膜的沉積。
而且MPCVD法無內部電極，可以避免電極放電污染和電極腐蝕。
可以說是滿足了制備高質量金剛石薄膜的條件。
但是，就像四十三所實驗室的裝置一樣，MPCVD法的沉積速率是硬傷。
看完了這篇詳細介紹MPCVD法的文獻後，陳舟不禁想到。
「如果有DAPCVD法一半的速度，再加上MPCVD法的制備質量，那這事不就成了嗎？」